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IPB019N08N3 G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:80 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 605¥24.77
  • 1000¥20.91
产品属性
描述MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH漏极连续电流180 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0019 Ohms at 10 V配置Single Quint Source
最大工作温度+ 175 C封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散300 W
工厂包装数量1000典型关闭延迟时间86 ns
零件号别名IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GXT SP000444110

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