| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 150?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | 功率 - 最大 | 214W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPB042N10N3 G-NDSP000446880 |
