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IPB04CN10N G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANS 100V 100A漏极连续电流100 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0039 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间25 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散300 W上升时间78 ns
典型关闭延迟时间76 ns零件号别名IPB04CN10NGXT

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