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IPB100P03P3L-04

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 30 V
闸/源击穿电压：- 16 V, + 5 V

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产品属性

描述	MOSFET P-CH -30V -100A 4mOhms	漏极连续电流	- 100 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	4 m Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263	封装	Reel
下降时间	180 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	200 W	上升时间	45 ns
工厂包装数量	1000	典型关闭延迟时间	200 ns

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