您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ipd068n10n3 g
  • IPD068N10N3 G

IPD068N10N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPD068N10N3 G
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$1.15844
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 90?A闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4910pF @ 50V功率 - 最大150W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3包装带卷 (TR)
其它名称SP000469892

ipd068n10n3 g的相关型号: