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IPD50N06S3-15

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:55 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 15mOhms漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)15 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间67 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散65 W上升时间59 ns
典型关闭延迟时间24 ns零件号别名IPD50N06S315XT

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