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IPL60R299CP

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPL60R299CP
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:CoolMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.42549
  • 6000$1.36655
  • 15000$1.32903
  • 30000$1.28616
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSONFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.1A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 440?A闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 100V功率 - 最大96W
安装类型表面贴装封装/外壳4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装PG-VSON-4包装带卷 (TR)
其它名称IPL60R299CP-NDIPL60R299CPAUMA1SP000841896

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