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  • IPP023N04N G

IPP023N04N G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPB,IPP023N04N G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 500$1.40122
产品属性
描述MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.3 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 95?A闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds10000pF @ 20V功率 - 最大167W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3包装管件
其它名称IPP023N04NGBKSA1IPP023N04NGXKSA1SP000359167

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