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  • IPP048N12N3 G

IPP048N12N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPP048N12N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$4.78
  • 10$4.267
  • 25$3.84
  • 100$3.4987
  • 250$3.1574
产品属性
描述MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 230?A闸电荷(Qg) @ Vgs182nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 60V功率 - 最大300W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3包装管件
其它名称SP000652734

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