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IPP054NE8N G

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:85 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:100 A
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0054 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220AB
封装Tube下降时间21 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散300 W
上升时间42 ns典型关闭延迟时间64 ns
零件号别名IPP054NE8NGHKSA2 IPP054NE8NGXK SP000680804

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