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  • IPP057N06N3 G

IPP057N06N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPx054,57N06N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.8
  • 10$1.628
  • 25$1.4536
  • 100$1.3082
  • 250$1.1628
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 58?A闸电荷(Qg) @ Vgs82nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds6600pF @ 30V功率 - 最大115W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3包装管件
其它名称SP000446780SP000680808

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