您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipp08cne8n g

IPP08CNE8N G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:85 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥16.63
  • 10¥14.35
  • 100¥12.21
  • 250¥8.69
  • 500¥8.42
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 85V 95A漏极连续电流95 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0064 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间6 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散167 W上升时间24 ns
典型关闭延迟时间26 ns零件号别名IPP08CNE8NGXK

ipp08cne8n g的相关型号: