您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipp10n03lb g

IPP10N03LB G

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET N-CH 30V 50A	漏极连续电流	50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0099 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AB	封装	Tube
下降时间	3 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	58 W	上升时间	5 ns
典型关闭延迟时间	18 ns	零件号别名	IPP10N03LBGXK

ipp10n03lb g的相关型号：