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IPS04N03LAG

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-KANAL POWER MOS漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)5.9 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-251封装Tube
下降时间6.6 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散115 W上升时间11 ns
典型关闭延迟时间44 ns

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