您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ips04n03lbg

IPS04N03LBG

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-KANAL POWER MOS漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)4.3 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-251封装Tube
下降时间6 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散115 W上升时间10 ns
典型关闭延迟时间43 ns

ips04n03lbg的相关型号: