您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipsh6n03lag

IPSH6N03LAG

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET N-KANAL POWER MOS	漏极连续电流	50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	10.2 m Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-251	封装	Tube
下降时间	4.2 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	71 W	上升时间	5.4 ns
典型关闭延迟时间	23 ns

ipsh6n03lag的相关型号：