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  • IQE006NE2LM5SCATMA1

IQE006NE2LM5SCATMA1

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  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥22.34000剪切带(CT)6,000 : ¥10.30996卷带(TR)
  • 系列:OptiMOS? 5
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Ta),310A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)580 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)82 nC @ 10 VVgs(最大值)±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5453 pF @ 12 VFET 功能-
功率耗散(最大值)2.1W(Ta),89W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-WHSON-8-1
封装/外壳8-PowerWDFN

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