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  • IR1167ASPBF

IR1167ASPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC输入类型自振荡
延迟时间60ns电流 - 峰2A
配置数1输出数1
高端电压 - 最大(自引导启动)-电源电压12 V ~ 18 V
工作温度-25°C ~ 125°C安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装管件

“IR1167ASPBF”电子资讯

  • IR整流器: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量(图)

    的损耗减半,因此也减少了所需的mosfet数量,还有助于将大型to-220封装改为小型、表面贴装的so-8器件。 新ic有so-8和dip-8两种封装选择,两者均不含铅(pbf),符合“电子产品有害物质限制指令”(rohs)。产品基本规格如下: 产品编号 封装 vcc (v) vfet (v) 最高频率sw. (khz) 栅极驱动 +/- (a) vgate 箝位 (v) 最大休眠电流 (ua) ir1167aspbf so-8 20 <=200 500 +2/-7 10.7 200 ir1167bspbf so-8 20 <=200 500 +2/-7 14.5 200 ir1167apbf dip-8 20 <=200 500 +2/-7 10.7 200 ir1167bpbf dip-8 20 <=200 ...

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