IR2110

出脉冲的封锁,与外电路适当连接,则可以实现欠压、过流保护功能。利用sg3524内部自带的运算放大器调节其输出的驱动波形的占空比d，使d>50％，然后经过cd4011反向后，得到对管的驱动波形的d<50％，这样可以保证两组开关管驱动时，有共同的死区时间。 3 dc/ac变换 如图3所示，dc/ac变换采用单相输出，全桥逆变形式，为减小逆变电源的体积，降低成本，输出使用工频lc滤波。由4个irf740构成桥式逆变电路，irf740最高耐压400v，电流10a，功耗125w，利用半桥驱动器ir2110提供驱动信号，其输入波形由sg3524提供，同理可调节该sg3524的输出驱动波形的d<50％，保证逆变的驱动方波有共同的死区时间。 ir2110是ir公司生产的大功率mosfet和igbt专用驱动集成电路，可以实现对mosfet和igbt的最优驱动，同时还具有快速完整的保护功能，因而它可以提高控制系统的可靠性，减少电路的复杂程度。 ir2110的内部结构和工作原理框图如图4所示。图中hin和lin为逆变桥中同一桥臂上下两个功率mos的驱动脉冲信号输入端。sd为保护信号输入端，当该脚接 ...

引言 随着pwm技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛，以及igbt、powermosfet等功率性开关器件的快速发展，使得pwm控制的高压大功率电源向着小型化、高频化、智能化、高效率方向发展。本文采用电压脉宽型pwm控制芯片sg3525a，以及高压悬浮驱动器ir2110，用功率开关器件igbt模块方案实现高频逆变电源。另外，用单片机控制技术对此电源进行控制，使整个系统结构简单，并实现了系统的数字智能化。sg3525a性能和结构sg3525a是电压型pwm集成控制器，外接元 器件少，性能好，包括开关稳压所需的全部控制电路。其主要特性包括：外同步、软启动功能；死区调节、欠压锁定功能；误差放大以及关闭输出驱动 信号等功能；输出级采用推挽式电路结构，关断速度快，输出电流±400ma；可提供精密度为5v±1%的基准电压；开关频率范围100hz~400khz。其内部结构主要包括基准电压源、欠压锁定电路、锯齿波振荡器、误差放大器等，如图1所示。 图1 sg3525a内部框图及引脚功能ir2110性能和结构ir2110是美国ir公司生产的高压、高速pmosfet和igbt的理想驱动器。该 ...

摘要：介绍了一种简单实用的车载正弦波逆变电源。控制电路采用权电阻网络正弦波发生器及专用控制芯片uc3637产生spwm波，经高压悬浮驱动器ir2110至逆变电路功率开关门极。实验结果表明，该电源输出波形良好，供电特性满足要求。其突出优点是结构简单，成本低，可靠性高。 关键词：权电阻；uc3637；ir2110；spwm；逆变电源 中图分类号：tn86 文献标识码：a 文章编号：0219—2713(2005)05-0024-04 0 引言 在一些交通运载、野外测控、可移动武器装备、工程修理车等设备中都配有不同规格的电源。通常这些设备工作空间狭小，环境恶劣，干扰大。因此对电源的设计要求也很高．除了具有良好的电气性能外，还必须具备体积小、重量轻、成本低、可靠性高、抗干扰强等特点。针对某种移动设备的特定要求，研制了一种简单实用的车载正弦波逆变电源，采用spwm工作模式，以最简单的硬件配置和最通用的器件构成整个电路。实验证明．该电源具有电路简单、成本低、可靠性高等特点．满足了实际要求。本文介绍了各部分的工作原理，重点阐述参考正弦发生器及高压悬浮驱动电路的设计。 ...

摘要：简要分析了uc3637双pwm控制器和ir2110的特点，工作原理。由uc3637和ir2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。 关键词：小信号放大器；双脉宽调制；悬浮驱动；高压大功率引言现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或mos管的放大电路构成，其功率有限，不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟，尤其是spwm逆变技术，使信号波形能够很好地在输出端重现，并且可以做到高电压，大电流，大功率。spwm技术的实现方法有两种，一种是采用模拟集成电路完成正弦调制波与三角波载波的比较，产生spwm信号；另一种是采用数字方法。随着应用的深入和集成技术的发展，已商品化的专用集成电路（asic）和专用单片机（8x196/mc/md/mh）以及dsp，可以使控制电路结构简化，集成度高。由于数字芯片一般价格比较高，所以在此采用模拟集成电路。主电路采用全桥逆变结构，spwm波的产生采用uc3637双pwm控制芯片，并采用美国ir公司推出的高压浮动驱动集成模块ir2110，从而减小了装置的体积，降低了成本，提高了系统的可靠性。经本电路 ...

高压悬浮驱动器ir2110的原理和扩展应用 吴胜华，张成胜，钟炎平，吴保芳 (空军雷达学院，湖北 武汉430019） 1、主要特点、功能原理框图和说明 ir2110采用14端dip封装，引出端排列如图ir2110-1所示。内部功能原理框图如图ir2110-2所示。ir2110各引出殿功能分别是：1端（lo）是低端通道输出。2端（com）是公共端。3端（vss）是低端固定电源电压。5端（us）是高端浮置电源偏移电压。6端(ub)是高端浮置电源电压。7端（ho）是高端输出。9端（vdd）是逻辑电路电源电压。10端（hin）、11端（sd）、12端（lin）均是逻辑输入。13端（vss）是逻辑电路地电位端外加电源电压，其值可以为0v。4端、8端、14端均为空端。 摘 要 ： 介 绍 了 ir2110的 内 部 结 构 和 特 点 ， 高 压 侧 悬 浮 驱 动 的 原 理 和 自 举 元 件 的 设 计 。 针 对 ir2110的 不 足 提 出 了 几 种 扩 展 应 用 的 方 案 ， 并 给 出 了 应 用 实 例 。关 键 词 ： 悬 浮 驱 动 ； 栅 ...

ir2110驱动igbt模块中的栅极抗干扰技术 陶海敏，何湘宁 (浙江大学电力电子研究所，浙江 杭州310027） 摘 要 ： 介 绍 了 ir2110驱 动 芯 片 的 特 点 ， 对 igbt驱 动 电 路 的 抗 干 扰 技 术 作 了 具 体 分 析 ， 提 出 了 几 种 有 效 的 抗 干 扰 方 法 ， 如 栅 极 电 平 箝 位 、 关 断 时 负 压 等 ， 并 在 实 际 应 用 中 验 证 了 它 们 的 有 效 性 。 关 键 词 ： ir2110； 栅 极 驱 动 ； 抗 干 扰 ； 电 平 箝 位 1 引 言驱 动 igbt电 压 型 功 率 器 件 ， 有 多 种 带 保 护 功 能 及 隔 离 驱 动 的 集 成 驱 动 芯 片 ， 如 exb841系 列 ， m57957系 列 等 ， 但 它 们 都 只 能 驱 动 单 个 功 率 管 。 ir2110是 一 种 双 通 道 高 压 、 高 速 电 压 型 功 率 开 关 器 件 栅 极 驱 动 器 ， 具 有 自 举 浮 动 电 源 ， 驱 动 电 路 非 常 简 单 ， 只 用 ...

osfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 用于igbt或功率mosfet驱动的集成芯片模块中，应用技术比较成熟的有东芝lp250、富士exb8系列、三菱m579系列等，但是这些模块都是单驱动，如果要驱动全桥结构的逆变电源则需要4个隔离的驱动模块，不但费用高、而且体积大。美国ir公司推出的高压浮动驱动集成模块ir2110是一种新型的功率mosfet或igbt驱动模块，它本身允许驱动信号的电压上升率达±50 v/μs，极大地减小了功率开关器件的开关损耗。此外，由于ir2110采用自举法实现高压浮动栅极双通道驱动，因此可以驱动500 v以内的同一相桥臂的上下两个开关管，减小了装置体积，节省了成本。 1 ir2110自举电路工作原理分析 自举电路如图1所示，其工作原理如下：q2导通期间将vs的电位拉低到地，vcc通过自举电阻rbs和自举二极管dbs给自举电容cbs充电，通过电容cbs在vb和vs之间形 ...

1 引言 驱动igbt电压型功率器件有多种具有保护及隔离功能的集成驱动模块。这些模块具有多种保护功能、隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定可靠等优点，但其相对价格较高，且只能驱动单个功率管。而ir2110是双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器，具有自举浮动电源。驱动电路简单，只需一路电源即可同时驱动上、下桥臂，但存在不能产生负偏压，在抗干扰方面较薄弱等缺陷。这里从保护、抗干扰等方面对该模块进行优化设计，使其优点更突出，从而使用范围更广泛。 2 ir2110功能模块 图1为ir2110内部结构框图。ir2110采用cmos工艺制作，逻辑电源电压范围为5-20 v，适应ttl或cmos逻辑信号输入，具有独立的高端和低端2个输出通道。由于逻辑信号均通过电平耦合电路连接到各自的通道上，允许逻辑电路参考地(vss)与功率电路参考地(com)之间有-5～+5 v的偏移量，并能屏蔽小于50 ns的脉冲。采用cmos施密特触发输入，以提高电路的抗干扰能力。ir2110由逻辑输入、电平平移及输出保护组成。逻辑输入电路与ttl／cmos电平兼容；逻辑电源地(vss)和功率地(com)之间允许有± ...

ir2110采用hvic和相闩锁抗干扰cmos制造工艺，dip14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道：悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500v，dv/dt ±50v/ns， 15v下静态功耗仅116mv：输出的电源端（脚3，即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10?20v；逻辑电源电压范围（脚9） 5?15v，可方便地与ttl, cmos 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5v的偏移量：工作频率高， 可达500khz；开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns：图腾柱输出峰值电流为2a。 引脚功能：lo（引脚1）低端输出； com（引脚2）公共端； vcc（引脚3）低端固定电源电压； nc（引脚4）空端； vs（引脚5）高端浮置电源偏移电压； vb （引脚6）高端浮置电源电压； ho（引脚7）高端输出； nc（引脚8） 空端； vdd（引脚9）逻辑电源电压； hin（引脚10）逻辑高端输入； sd（引脚11）关断； lin（引脚12）逻辑低端输入； vss（引脚13）逻辑电路地电位端，其值可以为0v； nc（引脚14）空端 ir2110的内部功能框图如图1所示。由三个 ...

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ir2110驱动igbt电路如图所示。电路采用自举驱动方式，vd1为自举二极管，c1为自举电容。接通电源，vt2导通时cy通过vdt进行充电。这种电路适用于驱动较小容量的igbt.对于ir2110,当供电电压较低时具有使驱动器截止的保护功能。自举驱动方式支配着vt2的导通电压，因此电压较低的保护功能是其必要条件。若驱动电压较低时驱动igbt,则igbt就会发生热损坏。vd1选用高速而耐压大于600v的era38-06、erb38-06等二极管。 来源:阴雨 ...

相关元件pdf下载：ir2110 本逆变器采用了三阶倍频spwm调制。 ...

求教各位大虾ir2110死区时间是多少？需要在之前加死区电路吗？ 求教各位大虾： ir2110自带死区，资料上写 delay matching=10ns, 这是真正的死区时间吗？ 我的电路是pwm经光电隔离，分成两路pwm（一路经7404反相），两路进入ir2110。 7404转换时间6ns，ir2110 delay matching=10ns，如果ir2110死区真的是 10ns，这样可能h桥电路就有可能直通了。请问还需要在之前加死区电路吗？ 我还有一个想法，pwm一路经7404反相，另一路经与门7421。从而两路基本同步。 请各位看看到底该如何实现？小弟在此先谢过了。 ...

求教各位大虾ir2110死区时间如何实现？ 求教各位大虾： ir2110资料上写delay matching=10ns, 看过相关的帖子，这不是真正的死区时间，对吗？ 我的电路是arm输出一路pwm经光电隔离，分成两路pwm（一路经7404反相），两路进入ir2110。 在进入ir2110之前需要加死区电路，由rc与反向器组成的死区电路好像不太可靠，能不能给个具体的实现死区电路的建议？ ...

ir2110.html">ir2110问题，熟悉者请赐教我用ir2110驱动mosfet，驱动信号为pwm开关波形，用来驱动无刷电机，当电压低于90v dc时，ir2110可以驱动正常工作；同样的驱动波形，当母线电压高于90vdc 后，ir2110输入信号不变，但没有输出，请问这是什么原因？ ...

请问怎么确定ir2110能驱动多大的mos管啊？请问怎么确定ir2110能驱动多大的mos管啊？手册上ir2110的输出电压是10-20v，电流是2a，mos管是电压驱动型，要2a的电流有什么用啊？ ...

请教急问有关ir2110的问题问题如下:4片ir2110，驱动8片mosfet，组成h桥，驱动2台永磁直流电机（24v 110w）。4片ir2110的电源vdd = 5v ,vcc = 15v ，pwm频率为20k。15v电源使用的是1片78m15，带载能力是500ma。现在的问题是，当电机负载加大时，78m15就烧了。我想不通2110怎么会需要那么大的电流呢，我已经在输出端lo,ho都接了限流电阻，大小是56欧姆，还是烧。这个问题怎么解决呢？谢谢各位大侠了。ps：78m15只供4片2110，没有供其他芯片。 ...