描述 | MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 135 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 129A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.4 毫欧 @ 77A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 270 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 9700 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 441W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
【International Rectifier】IRF1404,MOSFET MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
【International Rectifier】IRF1404L,MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
【International Rectifier】IRF1404LPBF,MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
【International Rectifier】IRF1404PBF,MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
【International Rectifier】IRF1404S,MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK