描述 | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 3.4A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
功率 - 最大 | 43W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF510 |
属电压控制器件, 在栅极及源极之间接充电电容,由于栅漏电流极小,电容电压在很长一段时间内能基本保持不变, 当管子工作于可调电阻区时,其漏源极电阻将受到栅源极电压即电容的电压所控制,这时管子相当于压控可变电阻,当指触( 依手指电阻导电) 开关s1 闭合,即向电容充电,当指触开关s2闭合,即将电容放电,从而达到以电压控制漏源极电阻的目的,将其按入音响设备中,即可调节音量的大小。s1 和s2 可用薄银片或薄铜片制作,间距2 mm 左右,待调试后确定,音量增减量设置在±2 db 左右。 (2) 由irf510 作源极缓冲输出, 减低输出内阻,以减小场效应管irf150 输入电容对高频的影响,采用irf150 双管并联变压器单端输出。 (3) 采用性能超群的全耦合变压器, 自制采用z11 或h10 芯片,截面积取26 mm×50 mm ;初级共240 匝, 由两个120 匝的绕组串联;次级用120 匝,由两个120 匝的绕组并联, 实际制作时, 用两根ф0.77 mm 和两根ф1.04 mm 高强度漆包线四股并绕,分清四个绕组的头和尾, 再将两个ф0.77 mm 绕组的头和尾串联作为初级, 将两 ...
放大器放大链采用三级场效应管,全部选用mosfet。每级放大均采用ab类功率放大模式,且均选用推挽式,以保证功率放大器模块可以宽带工作。考虑到供电电源通常使用正电压比较方便,因此选用增强型mos场效应管。另外为了展宽频带和输出大功率,采用传输线宽带匹配技术和反馈电路,以达到设计要求。 由于本射频功率放大器输出要求为大功率脉冲式发射,因此要求第一、二级使用的mosfet应具备快速开关切换,以保证脉冲调制信号的下降沿和上升沿完好,减少杂波和谐波的干扰。设计中第一、二级功率放大选用mosfet为irf510和irf530。最后一级功放要求输出脉冲功率达到1200w,为避免使用功率合成技术,选用mosprt mrfl57作为最后的功率输出级。所设计的射频脉冲功率放大器电路原理图如图1所示。 发射通道的建立都是在信号源产生射频信号后经过几级的中间级放大才把信号输入到功率放大级,最后通过天线把射频信号发射出去。 图1中,输入信号为20~21dbm,50ω输入;工作电压为15v和一48v,其中15v为第一、二级功放提供工作电压,48v为最后一级功放提供工作电压;6v稳压输出可以使用15v或 ...
本文介绍的电容放电式点火电路的产生是从一个点火线圈火花放电横跨线圈初级电容。2uf电容器充电至约340伏,放电是由可控硅控制。施密特触发振荡器(74c14)和mosfet(irf510)用于驱动低小电源变压器高压侧和电压加倍的安排是在高压侧用于增加电容电压约340伏。该电源门控关闭期间的放电时间,使可控硅将停止进行,并返回到它的阻断状态。从3904连接到引脚74c14导致电源振荡器停止放电时间在9二极管。该电路吸引了来自12伏源只有200毫安,并提供几乎两倍于传统的点火电路的正常能量。从线圈高电压10kv级左右使用一个3/8英寸火花正常空气的温度和压力的差距。星火率可提高到10赫兹可能没有损失太多的火花强度,而是由低频电源变压器和职责,把有限的振荡周期。为了更快地火花率,更高的频率和更低的阻抗供应将是必需的。 来源:朦烟 ...
我买了irf510可以用谢谢大家了!搭出来了有些地方就是弄不明白!!! ...
irf510可以吗?en ...
1多的是: irf510 /520/530 ...
谢谢楼上,果然随便找个mos管看看,比如irf510的vgs最大值范围是+/-20v,所以需要限制vgs电压 ...