描述 | MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 | FET 类型 | P 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 112 毫欧 @ 3.4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 37 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1110 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | - |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6?(TSOP-6) |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
【International Rectifier】IRF5803D2,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2PBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TR,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TRPBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803TR,MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5803TRPBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP