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  • IRF5850

IRF5850

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  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 个 P 沟道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)135 毫欧 @ 2.2A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.4nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)320pF @ 15V
功率 - 最大值960mW工作温度-
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

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