描述 | MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.7A,2.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.7A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.25V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V |
功率 - 最大 | 960mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) | 供应商设备封装 | Micro6?(TSOP-6) |
包装 | 带卷 (TR) |