您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > irf5852trpbf
  • IRF5852TRPBF

IRF5852TRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.25V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
功率 - 最大960mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
包装带卷 (TR)其它名称IRF5852TRPBF-NDIRF5852TRPBFTR

irf5852trpbf的相关型号: