IRF6100

电阻已经在一定程度上接近了nmos的水平，可以实现有效的高压侧开关。这三种趋势结合起来，使得在你能够提供自己的控制信号的场合使用的负载开关非常小巧（图1）。 图 1 可以用一个pmos通道元件和一个合适的驱动器组成一个简单的高压侧负载开关(a)。另外一个nmos器件和上拉电阻起到逻辑反相和电平变换作用(b)。 一直积极从事开发分立功率mosfet和封装技术的公司有国际整流器公司(ir)和飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)。ir公司的20v、5.1a的irf6100 pmos器件的沟道电阻在vgs 为-4.5v时为65mw，在vgs为-2.5v时增大到95mw。售价为0.35美元（批量1,000件）的irf6100，采用边长只比1.5mm稍大的4球csp封装，其最大连续漏极电流在70℃温度下为3.5a（图2）。 图 2 ir公司把一个20v、5.1a开关装在一个边长稍大于1.5mm 的4球csp的封装中。 飞兆半导体公司的fdz204p，其尺寸仅为2×2mm，售价为1.02美元（批量1,000件）。这种20v、4.5a pmos器件的沟道电阻在 ...

性参数很有竞争力的功率元件，并同时大量地减少了常规封装中那些不需要的特性参数。在本文中，把这些器件统称为倒装芯片器件。图1是市场上买得到的一些表面贴装器件的芯片面积与封装面积比值的发展趋势。可以看到，倒装芯片的芯片面积与封装面积的比值是最大的，是特别适合于空间受限制的便携设备的封装技术。flipfet功率晶体管和flipky肖特基二极管是真正在晶片上进行的芯片级封装元件，硅芯片本身就是封装。这些器件上有焊锡球珠，它们之间的距离是0.8 mm，可以用常规的表面贴装工艺进行装配。这个系列最早的产品是irf6100 型flipfet功率晶体管，而最近推出的ir140csp型flipky肖特基二极管是业界最小的1 a肖特基二极管。这些倒装芯片器件不需要引线框，也不需要在上面覆盖模塑材料，这在低功率市场引发了一场革命。因为引线框和覆盖模塑材料是低功率至中功率二极管流行使用的传统工艺。同时倒装芯片器件与常规封装的功率硅芯片在封装形式上也不相同，在常规硅芯片的两个表面上都有漏极和源极或者阳极和阴极，而倒装芯片器件的引出端子都在硅芯片的同一个表面上，这将显著减小此类器件的封装尺寸。在连接方式上倒装芯片器件与传统器件 ...