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  • IRF630NSTRLPBF

IRF630NSTRLPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$0.87828
  • 1600$0.84039
  • 4000$0.80768
  • 5600$0.76921
  • 20000$0.74223
描述MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 5.4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds575pF @ 25V
功率 - 最大82W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称IRF630NSTRLPBF-NDIRF630NSTRLPBFTR

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