描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1560pF @ 25V |
功率 - 最大 | 40W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 | 供应商设备封装 | TO-220FP |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF640N,MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
【International Rectifier】IRF640NL,MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
【International Rectifier】IRF640NLPBF,MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
【International Rectifier】IRF640NPBF,MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
【International Rectifier】IRF640NSPBF,MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK