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  • IRF640FP

IRF640FP

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1560pF @ 25V
功率 - 最大40W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包供应商设备封装TO-220FP
包装管件

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