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IRF640ST4

描述MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp电阻汲极/源极 RDS(导通)0.18 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体D2PAK
封装Reel下降时间25 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散125 W
上升时间27 ns工厂包装数量1000

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