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IRF6609TR1

描述MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 毫欧 @ 31A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.45V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs69nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds6290pF @ 10V
功率 - 最大1.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MT供应商设备封装DIRECTFET? MT
包装带卷 (TR)

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