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IRF6614TR1

描述MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-STFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.3 毫欧 @ 12.7A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2560pF @ 20V
功率 - 最大2.1W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 ST供应商设备封装DIRECTFET? ST
包装带卷 (TR)

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