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  • IRF6621TR1PBF

IRF6621TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.323
  • 3000$1.272
  • 5000$1.211
  • 10000$1.169
  • 25000$1.13
描述MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.1 毫欧 @ 12A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs17.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1460pF @ 15V
功率 - 最大2.2W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 SQ供应商设备封装DIRECTFET? SQ
包装带卷 (TR)其它名称IRF6621TR1PBFTR

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