您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > irf6623tr1pbf
  • IRF6623TR1PBF

IRF6623TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.355
  • 3000$1.302
  • 5000$1.24
  • 10000$1.197
  • 25000$1.157
描述MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1360pF @ 10V
功率 - 最大1.4W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 ST供应商设备封装DIRECTFET? ST
包装带卷 (TR)其它名称IRF6623TR1PBFTR

irf6623tr1pbf的相关型号: