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  • IRF6629TR1PBF

IRF6629TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.506
  • 3000$1.434
  • 5000$1.384
  • 10000$1.338
描述MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.1 毫欧 @ 29A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds4260pF @ 13V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MX供应商设备封装DIRECTFET? MX
包装带卷 (TR)配用IRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBFIRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUT
其它名称IRF6629TR1PBFTR

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