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IRF6635TR1

描述MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫欧 @ 32A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5970pF @ 15V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MX供应商设备封装DIRECTFET? MX
包装带卷 (TR)其它名称IRF6635TR1-NDIRF6635TR1TR

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