描述 | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.7 毫欧 @ 14A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1330pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MP | 供应商设备封装 | DIRECTFET? MP |
包装 | 带卷 (TR) |
新产品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,而每个器件都经过特别设计,在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗,同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳性能,每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20a的应用,可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st) directfet封装,irf6637控制场效应管则采用中罐(mp) directfet封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐directfet封装,可以轻松地将irf6611替换为irf6678,满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服 ...
,面积也更小,最适用于体积超小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,而每个器件都经过特别设计,在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗,同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能,每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20a的应用,可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装,irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装,可以轻松地将irf6611替换为irf6678,满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转 ...
l和amd处理器的笔记本电脑设计,满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,而每个器件都经过特别设计,在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗,同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能,每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20a的应用,可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装,irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装,可以轻松地将irf6611替换为irf6678,满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑 ...
【International Rectifier】IRF6637TR1,MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
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