描述 | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 59.9 毫欧 @ 5.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.9V @ 150?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MZ | 供应商设备封装 | DIRECTFET? MZ |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF6641TR1PBFTR |
【International Rectifier】IRF6641TRPBF,MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6643TR1PBF,MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6643TRPBF,MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6644,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
【International Rectifier】IRF6644TR1,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
【International Rectifier】IRF6644TR1PBF,MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6644TRPBF,MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6645,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ