IRF6643TRPBF

亚太区高级销售总监曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通过持续改善影响功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作，同时也保持了单个mosfet的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个directfet mosfet可以替代两个或三个so-8封装器件。” 该器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作为隔离式或中间dc总线转换器的原边mosfet。irf6643trpbf采用中级尺寸 (mz) directfet封装。有关新器件的详细数据，详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 ir的directfet mosfet封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理 ...

ir亚太区高级销售总监曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通过持续改善影响功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作，同时也保持了单个mosfet的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个directfet mosfet可以替代两个或三个so-8封装器件。”该器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作为隔离式或中间dc总线转换器的原边mosfet。irf6643trpbf采用中级尺寸 (mz) directfet封装。 ir的directfet mosfet封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外，directfet封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (rohs)。 irf6643trpb ...

亚太区高级销售总监曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通过持续改善影响功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作，同时也保持了单个mosfet的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个directfet mosfet可以替代两个或三个so-8封装器件。” 该器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作为隔离式或中间dc总线转换器的原边mosfet。irf6643trpbf采用中级尺寸 (mz) directfet封装。有关新器件的详细数据，详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 产品基本规格如下： 器件 编号 封装 bvdss (v) 10v下最大rds(on) (mohm) 10v下 典型rds(on) (mohm) vgs (v) 25&or ...