| 宽度 | 5.05mm | 封装类型 | DirectFET MZ |
|---|---|---|---|
| 尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | 引脚数目 | 7 |
| 最低工作温度 | -40 °C | 最大功率耗散 | 2800 mW |
| 最大栅源电压 | ±20 V | 最大漏源电压 | 80 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.015 | 最大连续漏极电流 | 55 A |
| 最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N | 配置 | 双源、四漏极、单 |
| 长度 | 5.45mm | 高度 | 0.6mm |
【International Rectifier】IRF6668TR1,MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
【International Rectifier】IRF6668TR1PBF,MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6668TRPBF,MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6674TR1PBF,MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6674TRPBF,MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6678,MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6678TR1,MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6678TR1PBF,MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET