IRF6678

tel和amd处理器的笔记本电脑设计。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st) directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp) directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数据通 ...

小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器， ...

设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐（st）directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐（mp）directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（mx）directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf6678，满足更大电流和散热性能的需求。 新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数 ...