IRF6691

模式进行通信。相位的增加或减少无需更改基本设计。五线模拟总线由偏置电压、相位时序、均流、误差放大器输出及vid电压组成。五线总线可以省去控制与相位ic之间的点对点布线，从而缩短互连结构，降低寄生电感和噪声，简化印制电路板布局，得到更可靠耐用的设计。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™功率mosfet共同为中高档服务器、电压调节器模块（vrm）和大电流电信应用等提供多相dc-dc功率解决方案。以每个相位设计采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691 同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86%的输出效率。 ir销售及公司营销部执行副总裁robert grant指出：“能被中国杰出的工程设计群体认可，我们感到非常荣幸，也非常高兴看到ir在开发新的功率管理方案和构架方面的领导地位正迅速为全球所接受。” ...

意义的控制芯片，因为它具有更广泛的应用，在性能方面也十分突出。 与其他具有固定相位数的多相解决方案不同，ir的xphase构架能实现可扩展的多相设计：ir3082采用五位电压编程，而且只需少量外部元件，简化了多相应用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同为中高档服务器、电压调节器模块（vrm）和大电流电信应用等提供多相dc-dc功率解决方案。以每个相位设计采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691 同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86%的输出效率。 ir销售及公司营销部执行副总裁robert grant指出：“能被中国杰出的工程设计群体认可，我们感到非常荣幸，也非常高兴看到ir在开发新的功率管理方案和构架方面的领导地位正迅速为全球所接受。” 关于 xphase™ xphase是ir推出的分布式多相位架构，由一组控制ic和相位ic共同组成，内部通过简单的五线总线模式进行通信。相位的增加或减少无需更改基本设计。五线模拟总线由偏置电 ...

发给了这一具有创新意义的控制芯片，因为它具有更广泛的应用，在性能方面也十分突出。 与其他具有固定相位数的多相解决方案不同，ir的xphase构架能实现可扩展的多相设计:ir3082采用五位电压编程，而且只需少量外部元件，简化了多相应用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同为中高档服务器、电压调节器模块(vrm)和大电流电信应用等提供多相dc-dc功率解决方案。以每个相位设计采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691 同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86%的输出效率。 ir销售及公司营销部执行副总裁robert grant指出:“能被中国杰出的工程设计群体认可，我们感到非常荣幸，也非常高兴看到ir在开发新的功率管理方案和构架方面的领导地位正迅速为全球所接受。” ...

国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出ir3084和ir3084u两款xphase 控制ic，延伸了ir xphase可扩展多相转换器芯片组产品。新的ic能够与ir现有的ir3086a相位ic和irf6617、irf6691等directfet功率mosfet配合使用，在130a的应用中实现 7相位，可比5相位的设计提高3%的工作效率。 ir3084符合intel vr10.x和vr11微处理器核心电源的要求，而ir3084u则是一款通用电压识别（vid）器件，是同时针对vr10.x和vr11及amd opteron vid代码和启动序列的产品。 xphase芯片组是为增强台式机、服务器、稳压模块（vrm） 和嵌入式系统的功率密度和效率而设计的。由于相位数目由5个增加到7个，每相位电流也相应下降，因此设计人员可以使用更小型的电感器和更少的输出电容器。这将使电路面积由3,200 mm2减小到2,400 mm2，节省了25%的电路板面积。 7相位的ir3084解决方案包含ir6617和irf6691 功率mosfet，可在满载电流下 ...

md opteron（皓龙）和 athlon（速龙）64 处理器推出了ir3082多相控制ic。 ir3082的推出延伸了ir xphase可扩展多相ic的产品种类，与directfet 功率mosfet相配合，为中高档服务器、电压调节器模组（vrm）和大电流电信应用提供了最佳的多相dc-dc功率解决方案。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic以其完善的性能和灵活性实现了完整的opteron和athlon 64功率解决方案。以每个相位采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86％的输出效率。 ir xphase结构与其他固定相位数的多相解决方案不同，它能够实现可扩展的多相设计。ir3082只需配合5位电压编程及少量外置元件即可工作，可以简化一般应用及不针对特定处理器的多相应用。：“ ir3082在5位电压识别码（vid）的情况下，系统的整体精度为1.0%。其自适应电压定位功能，可在保持输出电压容差的同时，降低对输出电容器的要求。该元件还设有ir专利的截止电路，能把对输出电容的要求降 ...

芯片组最适用于可支持5v至1v以下输出电压的高密度15a pol转换器。以一个500khz pol转换器为例，若采用这款芯片组，便能在1.5v下提供15a输出电流，实现大于88%的效率。” irf6610的闸电荷(gate charge)低至10nc，可将开关损耗减至最低，实现最佳控制场效应管(fet)功能。irf6636则是一款多功能的directfet功率mosfet，其导通电阻为4.5mω，闸电荷低至18nc。它可耦合irf6610，成为专门针对15a应用的同步场效应管；又可配合irf6691组成控制场效应管，适用于每相位35a的多相位应用。irf6636/irf6691芯片能在pol模块等应用中提供更高密度，取代多达4个热强化型so-8 mosfet器件。 该公司表示，ir的专利directfet mosfet封装包含了一系列新的设计优点，这是目前标准的塑料分立封装所不具备的。其中，金属罐状结构可提供双面冷却，将驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力提高1倍。此外，directfet封装内的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”(rohs)。 来源: ...