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  • IRF6709S2TR1PBF

IRF6709S2TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.844
  • 3000$0.811
  • 5000$0.772
  • 10000$0.745
  • 25000$0.72
描述MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.8 毫欧 @ 12A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1010pF @ 13V
功率 - 最大1.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 S1供应商设备封装DIRECTFET S1
包装带卷 (TR)其它名称IRF6709S2TR1PBFTR

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