描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 250 毫欧 @ 1A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7104TRPBF,MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7105PBF,MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7105QTRPBF,MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7105TRPBF,MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】IRF710B,MOSFET 400V N-Channel B-FET