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IRF7233TR

描述MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 9.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs74nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds6000pF @ 10V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

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