| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 29 毫欧 @ 6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7311TR,MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7311TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7313,MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7313PBF,MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7313QTRPBF,MOSFET HEX N-CH DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7313TRPBF,MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
