| 描述 | MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.5A，4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 29 毫欧 @ 5.8A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7319TRPBF,MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7321D2,MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7321D2PBF,MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7321D2TR,MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7321D2TRPBF,MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7322D1,MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7322D1PBF,MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7322D1TR,MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC