| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 50 毫欧 @ 4.7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7341PBFTR |
【International Rectifier】IRF7342,MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342D2PBF,MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342PBF,MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342QTRPBF,MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342TRPBF,MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
