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  • IRF7379QTRPBF

IRF7379QTRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N/P-CH 30V 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A,4.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 5.8A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装Digi-Reel?其它名称IRF7379QTRPBFDKR

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