| 描述 | MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 3.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【International Rectifier】IRF7380PBF,MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7380QTRPBF,MOSFET N-CH 80V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7380TRPBF,MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7389PBF,MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7389TR,MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7389TRPBF,MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
