描述 | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 11.5A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3529pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7420TR,MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7420TRPBF,MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1PBF,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1TR,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1TRPBF,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7422D2,MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC